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MEMS 传感器芯片亮相2019南京创新周黑科技展
来源: | 作者: | 发布时间: 2019-07-01 | 921 次浏览 | 分享到:
    6月26日至29日,2019南京创新周黑科技展在南京市举行。此次创新周以“创新南京、机会无限”为主题,秉持“共创、共享、共赢”的理念,邀请全球知名科学家、企业家、创新机构、投资机构代表齐聚南京,开展创新思想交流、展示新成果、进行合作项目对接,为各类创新企业、人才、机构提供国际化展示、对接和合作平台。
    江苏MEMS智能传感器研究院携MD 系列高稳定型单晶硅压力/差压传感器芯片、HMD 系列超宽温区压力/ 差压传感器芯片、陶瓷单晶硅芯片、金属单晶硅芯片和共平面差压传感器等科研成果亮相展会。研究院副院长Thomas和牟恒出席了“2019年南京创新周”紫金山创新大会。


  研究院参与并评选出4项黑科技产品:
    1、MD 系列高稳定型单晶硅压力/差压传感器芯片
    该产品填补了我国在单晶硅压力传感器芯片技术上的空白,并在2018年年度曾获得“南京市2018年第二批创新产品推广示范推荐目录”。

    2、HMD 系列超宽温区压力/ 差压传感器芯片
    独特的PVD工艺,使传感器芯片在高温下依然拥有优异的静压特性与长期稳定性,使该传感器芯片可满足-196~350℃的超宽工作温区。

   3、陶瓷单晶硅芯片、金属单晶硅芯片
    采用高纯度工业陶瓷材料(99.99% AI2O3),具有非常强的抗腐蚀性与抗磨损性能。将单晶硅芯片与陶瓷、金属等多种材料结合,简化传感器结构、实现优异的过载性能与长期稳定性,并有效降低成本、降低功耗,更加适合于汽车电子、互联网等行业应用。

   4、共平面差压传感器
    研究院成为继美国艾默森公司之后全球第二家拥有共平面差压传感器和共平面技术的公司。

  四款黑科技产品的展出,吸引了业内人士很多关注和咨询,提高了MEMS传感器芯片的市场知名度,为产品在军工制造、航空航天、汽车与机车装备、仪器仪表制造等领域取得市场化奠定了基础。

攀技术高峰 ? 造世纪芯片
Climbing the technological peak and making century chips
Deutsch-Chinesisches MEMS Smart Sensor Institut
江苏MEMS智能传感器研究院
+86(0)25-52785026     地址:南京市江宁区长青街19号     邮箱:Info@mems-?sensor.com?
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