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MDT 系列压温一体型 

单晶硅压力 / 差压传感器芯片



发布日期:2020-07-31
MDT 系列压温一体型单晶硅压力 / 差压传感器芯片,在单晶硅压力/差压传感器芯体上集成一颗高精度温度传感器, 实现压力、温度同步测量。得益于该芯片压温一体、高过压、高温度抑制、高稳定性、 高精度、小体积的特点,可广泛应用于航空航天、校验仪表、石油化工, 冶金电力,工业自动化等领域。

压温一体

高过压

高温度抑制 
高稳定性 
高精度

特点:   

高过压 
MDT 系列采用高纯度单晶硅材质,特性优于市场上通用的复合硅、扩散硅。膜面与底座采取硅-硅原子级键合,从而提供优于传统的硅-玻璃键合技术的静压、过压特性,同时在感应层与基层中加入 μm 级厚度的惰性材质悬浮层,减小应力影响并提高绝缘特性。  

高温度抑制
MDT 系列采用经典的惠斯通电桥原理,但在桥路设计上创新采用了双惠斯通电桥,在桥路上实现“双梁”。该双梁桥路桥阻温度特性互补,当桥路发生自热变化或噪声干扰时,双梁桥路实现自补偿,大幅提高芯片的抗干扰能力与长期稳定性。MEMS 硅传感器芯片都需要金属化工艺,将电桥桥阻内部引线引出,并形成一定面积的金属绑定区,此金属线与金属绑定区也将对硅感应膜面产生应力影响。MDT 采用全对称的“梅花镜像”式金属化布局, 并将金属化部分布局在芯片的边缘,金属化部分在温度与压力变化时,变化均匀、对称抵消。阻值 10kΩ 的桥路电阻可以有效控制温度影响,保证输出信号高信噪比。

高稳定性
MDT 系列具有高稳定性,室温下连续采集1000 小时传感器零点压力信号稳定。注意 200 小时和 650 小时处仅仅是数据记录中断,电源和环境温度没有变化。
高精度
MDT 系列漏电流为100nA@10V,偏移电压为±3mV/V(市场 主流芯片为±10mV/V),TCR为800ppm(市场主流芯片为 2600ppm),桥阻为10KΩ,在设计量程范围内灵敏度可达到(20±5) mV/V,非线性 <0.15%FS,当施加4倍设计量程压力后,灵敏度可达80mV/V,非线性<0.8%FS。 



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 MDT 系列压温一体型单晶硅压力 / 差压传感器芯片

2020-7-31

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